Transistor a canale N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - IRFIBC20G

Transistor a canale N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - IRFIBC20G. Transistor a canale N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 11:25.