Transistor a canale N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A

Transistor a canale N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A. Transistor a canale N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 8.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 650V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 11:25.