Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF

Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF. Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 7670pF. Costo): 540pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 550A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB4310. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.