Transistor a canale N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

Transistor a canale N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. Transistor a canale N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB260N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.