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Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K

Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K
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Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB20N50K. Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2870pF. Costo): 3480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 80A. ID (min): 50uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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