Transistor a canale N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G

Transistor a canale N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G. Transistor a canale N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 760pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: IRF8707G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.