Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V - IRF840AS

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V - IRF840AS. Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.