Transistor a canale N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807

Transistor a canale N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807. Transistor a canale N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Id(imp): 66A. ID (min): 30uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.