Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.86€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.73€ | 0.89€ |
50 - 99 | 0.72€ | 0.88€ |
100 - 249 | 0.58€ | 0.71€ |
250 - 643 | 0.55€ | 0.67€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.86€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.73€ | 0.89€ |
50 - 99 | 0.72€ | 0.88€ |
100 - 249 | 0.58€ | 0.71€ |
250 - 643 | 0.55€ | 0.67€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A - IRF7413PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7413. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.
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