Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.17€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.06€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 366 | 1.05€ | 1.28€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.17€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.06€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 366 | 1.05€ | 1.28€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A - IRF7317TRPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7317. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 900/780pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.
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