Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.17€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.06€ |
10 - 24 | 1.60€ | 1.95€ |
25 - 49 | 1.51€ | 1.84€ |
50 - 99 | 1.21€ | 1.48€ |
100 - 223 | 1.19€ | 1.45€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.17€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.06€ |
10 - 24 | 1.60€ | 1.95€ |
25 - 49 | 1.51€ | 1.84€ |
50 - 99 | 1.21€ | 1.48€ |
100 - 223 | 1.19€ | 1.45€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A - IRF7313PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7313. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.
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