Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.31€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.27€ |
100 - 249 | 1.01€ | 1.23€ |
250+ | 0.97€ | 1.18€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.31€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.27€ |
100 - 249 | 1.01€ | 1.23€ |
250+ | 0.97€ | 1.18€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A - IRF7303PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7303. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 520pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 09/06/2025, 03:25.
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.