Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83€ | 1.01€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.92€ |
25 - 35 | 0.71€ | 0.87€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83€ | 1.01€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.92€ |
25 - 35 | 0.71€ | 0.87€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A - IRF7301PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7301. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 660pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.
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