Transistor a canale N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103

Transistor a canale N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103. Transistor a canale N, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Funzione: 2xN-CH 50V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.