Transistor a canale N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 140pF. Carica: 8.2nC. Condizionamento: tubus. Costo): 53pF. DRUCE CORRENTE: 3.3A, 2.1A. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Polarità: unipolari. Potenza: 36W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 8.2 ns. Td(spento): 14 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:08