Transistor a canale N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. C(in): 540pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Carica: 23.3nC. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 90pF. DRUCE CORRENTE: 9.5A. Diodo Trr (min.): 170 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Commutazione ad alta corrente. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 9A. Id(imp): 36A. Marcatura del produttore: IRF630. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Polarità: unipolari. Potenza: 82W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1.83K/W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione drain-source: 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:08