Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40€ | 1.71€ |
5 - 9 | 1.33€ | 1.62€ |
10 - 24 | 1.29€ | 1.57€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 395 | 1.06€ | 1.29€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40€ | 1.71€ |
5 - 9 | 1.33€ | 1.62€ |
10 - 24 | 1.29€ | 1.57€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 395 | 1.06€ | 1.29€ |
Transistor a canale N, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540Z. Transistor a canale N, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 21 milliOhms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1770pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza ultra bassa, <0,021 Ohm. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 140A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 92W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 22:25.
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