Transistor a canale N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z

Transistor a canale N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z. Transistor a canale N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 21 milliOhms. C(in): 1770pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 92W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Resistenza ultra bassa, <0,021 Ohm. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.