Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.12€ | 2.59€ |
5 - 9 | 2.01€ | 2.45€ |
10 - 24 | 1.90€ | 2.32€ |
25 - 49 | 1.80€ | 2.20€ |
50 - 54 | 1.76€ | 2.15€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.12€ | 2.59€ |
5 - 9 | 2.01€ | 2.45€ |
10 - 24 | 1.90€ | 2.32€ |
25 - 49 | 1.80€ | 2.20€ |
50 - 54 | 1.76€ | 2.15€ |
Transistor a canale N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRF3415. Transistor a canale N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0042 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 2400pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 150A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 71 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.
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