Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.08€ | 2.54€ |
5 - 9 | 1.97€ | 2.40€ |
10 - 24 | 1.91€ | 2.33€ |
25 - 49 | 1.33€ | 1.62€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 1.26€ | 1.54€ |
250 - 1402 | 1.22€ | 1.49€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.08€ | 2.54€ |
5 - 9 | 1.97€ | 2.40€ |
10 - 24 | 1.91€ | 2.33€ |
25 - 49 | 1.33€ | 1.62€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 1.26€ | 1.54€ |
250 - 1402 | 1.22€ | 1.49€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A - IRF3205STRLPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F3205S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3247pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 22:25.
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