Transistor a canale N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324

Transistor a canale N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324. Transistor a canale N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 24V. C(in): 5790pF. Costo): 3440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 46 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 18:25.