Transistor a canale N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3210pF. Carica: 80nC. Condizionamento: tubus. Costo): 690pF. DRUCE CORRENTE: 72A. Diodo Trr (min.): 69 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 25uA. Id(imp): 290A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Polarità: unipolari. Potenza: 130W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1.2K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Utilizzato per: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00