Transistor a canale N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Commutazione rapida, resistenza allo stato di conduzione ultra bassa. ID (min): 25uA. Id(imp): 330A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00