Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.51€ | 3.06€ |
5 - 9 | 2.38€ | 2.90€ |
10 - 24 | 2.26€ | 2.76€ |
25 - 49 | 2.13€ | 2.60€ |
50 - 57 | 2.08€ | 2.54€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.51€ | 3.06€ |
5 - 9 | 2.38€ | 2.90€ |
10 - 24 | 2.26€ | 2.76€ |
25 - 49 | 2.13€ | 2.60€ |
50 - 57 | 2.08€ | 2.54€ |
Transistor a canale N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V - IPA80R1K0CEXKSA2. Transistor a canale N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.83 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 8R1K0CE. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: -20V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 19:25.
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