Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3. Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2330pF. Costo): 185pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: K40H1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 483W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 290 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 18:25.