Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.37€ | 10.21€ |
2 - 2 | 7.95€ | 9.70€ |
3 - 4 | 7.53€ | 9.19€ |
5 - 9 | 7.12€ | 8.69€ |
10 - 18 | 6.95€ | 8.48€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.37€ | 10.21€ |
2 - 2 | 7.95€ | 9.70€ |
3 - 4 | 7.53€ | 9.19€ |
5 - 9 | 7.12€ | 8.69€ |
10 - 18 | 6.95€ | 8.48€ |
Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW30N60H3. Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1630pF. Costo): 107pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 117 ns. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Marcatura sulla cassa: K30H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 187W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 207 ns. Td(acceso): 21 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 19:25.
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