Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 7.46€ | 9.10€ |
2 - 2 | 7.09€ | 8.65€ |
3 - 4 | 6.72€ | 8.20€ |
5 - 9 | 6.34€ | 7.73€ |
10 - 19 | 6.19€ | 7.55€ |
20 - 29 | 6.04€ | 7.37€ |
30 - 44 | 5.82€ | 7.10€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.46€ | 9.10€ |
2 - 2 | 7.09€ | 8.65€ |
3 - 4 | 6.72€ | 8.20€ |
5 - 9 | 6.34€ | 7.73€ |
10 - 19 | 6.19€ | 7.55€ |
20 - 29 | 6.04€ | 7.37€ |
30 - 44 | 5.82€ | 7.10€ |
Transistor a canale N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1. Transistor a canale N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1350V. C(in): 1810pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: H30PR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 310 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 19:25.
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