Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW30N120R2

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW30N120R2. Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2589pF. Costo): 77pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: H30R1202. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 390W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 792 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, applicazioni di commutazione graduale. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 19:25.