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Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3

Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 13.23€ 16.14€
2 - 2 12.57€ 15.34€
3 - 4 11.91€ 14.53€
5 - 9 11.25€ 13.73€
10 - 14 10.98€ 13.40€
15 - 19 10.72€ 13.08€
20 - 26 10.32€ 12.59€
Qnéuantità U.P
1 - 1 13.23€ 16.14€
2 - 2 12.57€ 15.34€
3 - 4 11.91€ 14.53€
5 - 9 11.25€ 13.73€
10 - 14 10.98€ 13.40€
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Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3. Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4620pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 140A. Ic(impulso): 225A. Marcatura sulla cassa: G75H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 265 ns. Td(acceso): 31 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 14:25.

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