Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.99€ |
100 - 108 | 0.79€ | 0.96€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.99€ |
100 - 108 | 0.79€ | 0.96€ |
Transistor a canale N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S. Transistor a canale N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 14:25.
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