Transistor a canale N HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente del collettore: 25A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Ic(impulso): 40A. Marcatura sulla cassa: 5N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 182 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.7V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19