Transistor a canale N HGTG10N120BND, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 35A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Ic(impulso): 80A. Marcatura sulla cassa: 10N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. RoHS: sì. Td(acceso): 23 ns. Td(spento): 165 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19