Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4
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2 - 2 9.51€ 11.60€
3 - 4 9.01€ 10.99€
5 - 9 8.51€ 10.38€
10 - 12 8.31€ 10.14€
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4. Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 14:25.

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Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custod...
STGW40NC60V
Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS
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Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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