Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 10.01€ 12.21€
2 - 2 9.51€ 11.60€
3 - 4 9.31€ 11.36€
5 - 9 9.01€ 10.99€
10 - 12 8.81€ 10.75€
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4. Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 14:25.

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STGW40NC60V

STGW40NC60V

Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custod...
STGW40NC60V
Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V
STGW40NC60V
Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V
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STGW20NC60VD

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Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custod...
STGW20NC60VD
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STGW20NC60VD
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Quantità in magazzino : 45
IR2153

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Nota: Tr/Tp 80/40ns. Nota: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assembla...
IR2153
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IR2153
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4.61€ IVA incl.
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ULN2803A

ULN2803A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
ULN2803A
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DSEI60-10A

DSEI60-10A

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
DSEI60-10A
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DSEI60-10A
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Esaurito
FRC3-12F

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Voltaggio bobina: 12VDC. Modalità di commutazione: SPST (OFF-ON). Connettori: 4 terminali faston (2...
FRC3-12F
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FRC3-12F
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6.17€ IVA incl.
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1N5822

1N5822

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
1N5822
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1N5822
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BF883S

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Transistor NPN, 50mA, 275V. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 275...
BF883S
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CONN-20201-HK

CONN-20201-HK

Piedinatura: connettore a saldare su circuito stampato, connessioni diritte. Tipo di connettore: con...
CONN-20201-HK
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CONN-20201-HK
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BAT-H-CR2002

BAT-H-CR2002

Configurazione: montaggio orizzontale. Passo: 20mm. Dimensioni: diametro della batteria 20 mm. RoHS:...
BAT-H-CR2002
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BAT-H-CR2002
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