Transistor a canale N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321

Transistor a canale N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321. Transistor a canale N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Alloggiamento: TO-3P( N )IS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 37A. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.51 ns. Td(acceso): 0.33 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 13:25.