Transistor a canale N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

Transistor a canale N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. Transistor a canale N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P( GCE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: Commutazione dell invertitore di risonanza di corrente . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 14:25.