Transistor a canale N, 75A, Altro, Altro, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1

Transistor a canale N, 75A, Altro, Altro, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. Transistor a canale N, 75A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 5300pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Marcatura sulla cassa: FS75R12KE3G. Numero di terminali: 35. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 355W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42us. Td(acceso): 26us. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Prodotto originale del produttore Eupec/infineon. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 14:25.