Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - FQP5N60C

Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - FQP5N60C
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10 - 24 2.17€ 2.65€
25 - 46 2.05€ 2.50€
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Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - FQP5N60C. Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor ad effetto di campo di potenza in modalità potenziamento . Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID ...
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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