Transistor a canale N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10

Transistor a canale N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10. Transistor a canale N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 600pF. Costo): 165pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 78 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.