Transistor a canale N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Descrizione tecnica del prodotto (FQP13N50):

Transistor a canale N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1800pF. Costo): 245pF. Diodo Trr (min.): 290 ns. Funzione: Velocità di commutazione rapida. ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v