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Transistor a canale N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L

Transistor a canale N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.93€ 2.35€
5 - 9 1.84€ 2.24€
10 - 24 1.74€ 2.12€
25 - 45 1.64€ 2.00€
Qnéuantità U.P
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Transistor a canale N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L. Transistor a canale N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.258 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 3.67A. C(in): 220pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FQD7N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Funzione: Tariffa di gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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