Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.18€ | 0.22€ |
25 - 49 | 0.0684€ | 0.0834€ |
50 - 99 | 0.0334€ | 0.0407€ |
100 - 249 | 0.0163€ | 0.0199€ |
250 - 499 | 0.0063€ | 0.0077€ |
500 - 18897 | 0.0031€ | 0.0038€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.18€ | 0.22€ |
25 - 49 | 0.0684€ | 0.0834€ |
50 - 99 | 0.0334€ | 0.0407€ |
100 - 249 | 0.0163€ | 0.0199€ |
250 - 499 | 0.0063€ | 0.0077€ |
500 - 18897 | 0.0031€ | 0.0038€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A - FDV303N. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 303. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.
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