Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.30€ | 2.81€ |
5 - 9 | 2.18€ | 2.66€ |
10 - 24 | 2.07€ | 2.53€ |
25 - 49 | 1.95€ | 2.38€ |
50 - 99 | 1.91€ | 2.33€ |
100 - 169 | 1.86€ | 2.27€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.30€ | 2.81€ |
5 - 9 | 2.18€ | 2.66€ |
10 - 24 | 2.07€ | 2.53€ |
25 - 49 | 1.95€ | 2.38€ |
50 - 99 | 1.91€ | 2.33€ |
100 - 169 | 1.86€ | 2.27€ |
Transistor a canale N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - FDPF5N50T. Transistor a canale N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 480pF. Costo): 66pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipico 11nC), Crss basso 5pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 04:25.
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