Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.70€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.50€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.31€ |
50 - 60 | 2.64€ | 3.22€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.70€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.50€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.31€ |
50 - 60 | 2.64€ | 3.22€ |
Transistor a canale N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V - FDB8447L. Transistor a canale N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0087 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 04:25.
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