Transistor a canale N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Custodia in plastica da 2 mm × 2 mm, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.024...0.042 Ohms. Alloggiamento: WSON6. Custodia (secondo scheda tecnica): Custodia in plastica da 2 mm × 2 mm. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 260pF. Costo): 140pF. ID (min): -. Id(imp): 57A. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 17W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 2.8 ns. Td(spento): 4.2 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.9V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Texas Instruments. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:19