Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.13€ | 0.16€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.16€ |
25 - 49 | 0.12€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.11€ | 0.13€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.0999€ | 0.1219€ |
500 - 2759 | 0.12€ | 0.15€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.13€ | 0.16€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.16€ |
25 - 49 | 0.12€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.11€ | 0.13€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.0999€ | 0.1219€ |
500 - 2759 | 0.12€ | 0.15€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A - BSS123LT1G. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 20pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 23:25.
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