Transistor a canale N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100

Descrizione tecnica del prodotto (BSS123):

Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Voltaggio Vds(max): 100V. Idss (massimo): 100uA. ID (T=25°C): 150mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: sì. Polarità: unipolari. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Equivalenti: BSS123LT1G, BSS123-7-F. RDS su (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Protezione GS: no. Td(spento): 12 ns. ID (min): 10uA. Potenza: 360mW. Td(acceso): 3 ns. Vgs (th) (max) @ id: 2.5V @ 250µA. Quantità per scatola: 1. Marcatura del produttore: BSS123-7-F. Id(imp): 600mA. Resistenza allo stato: 6 Ohms. Marcatura sulla cassa: SA. Vgs(esimo) min.: 1V. DRUCE CORRENTE: 170mA. Tipo di montaggio: SMD. C(in): 23pF. MSL: 1. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): 1.8nC @ 10V. Costo): 6pF. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tensione gate/source Vgs max: ±20V. Tensione drain-source: 100V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Protezione drain-source: sì. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 150mA