Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24€ | 0.29€ |
10 - 24 | 0.23€ | 0.28€ |
25 - 49 | 0.22€ | 0.27€ |
50 - 99 | 0.21€ | 0.26€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 499 | 0.18€ | 0.22€ |
500 - 1536 | 0.17€ | 0.21€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24€ | 0.29€ |
10 - 24 | 0.23€ | 0.28€ |
25 - 49 | 0.22€ | 0.27€ |
50 - 99 | 0.21€ | 0.26€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 499 | 0.18€ | 0.22€ |
500 - 1536 | 0.17€ | 0.21€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A - BSS123-E6327. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SA . Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 11 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 23:25.
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