Transistor a canale N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

Transistor a canale N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.72€
5-24
0.59€
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100+
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Transistor a canale N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V. Alloggiamento: SO. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 46m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 4.3nC. DRUCE CORRENTE: 4.5A. Diodo Trr (min.): 27.5us. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. ID (min): 1uA. Id(imp): 20A. Numero di output: 2. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Potenza: 1.28W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 60V. Tensione gate/source (spenta) min.: 4.7V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET x2. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24

Documentazione tecnica (PDF)
AO4828
32 parametri
Alloggiamento
SO
ID (T=100°C)
3.6A
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
46m Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
60V
migliorato
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Carica
4.3nC
DRUCE CORRENTE
4.5A
Diodo Trr (min.)
27.5us
Funzione
Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso
ID (min)
1uA
Id(imp)
20A
Numero di output
2
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Potenza
1.28W
Quantità per scatola
2
RoHS
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
60V
Tensione gate/source (spenta) min.
4.7V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
N-MOSFET x2
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors