Transistor a canale N AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
39.98€
2-2
37.54€
3-3
35.64€
4-4
33.77€
5-9
32.37€
10-29
31.79€
30+
31.76€
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Transistor a canale N AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Tensione drain-source (Vds): 1200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente di assorbimento massima: 52A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 228W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
AIMW120R035M1HXKSA1
9 parametri
Tensione drain-source (Vds)
1200V
Rds sulla resistenza attiva
0.035 Ohms
Alloggiamento
TO-247AC
Corrente di assorbimento massima
52A
Diodo incorporato
sì
Potenza
228W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies