Transistor a canale N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Transistor a canale N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.33€
5-9
7.33€
10-14
6.66€
15-29
6.17€
30+
5.39€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 24

Transistor a canale N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. ID (min): n/a. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 130 ns. Td(spento): 280 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
2SK4108
28 parametri
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.21 Ohms
Alloggiamento
TO-3PN ( 2-16C1B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-16C1B
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3400pF
Costo)
320pF
Diodo Trr (min.)
1300 ns
Funzione
Applicazioni dei regolatori di commutazione
Id(imp)
80A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
130 ns
Td(spento)
280 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI)
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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