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Transistor a canale N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V
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Transistor a canale N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 45pF. Diodo Trr (min.): 1.4us. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. ID (min): 1uA. Id(imp): 27A. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(acceso): 65 ns. Td(spento): 120ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25